2026-11-04
メモリーメーカーはプロセッサー上に直接搭載する垂直HBMとエッジ推論向けメモリーも開発中。AIアクセラレーター向けパッケージングに直結するロードマップだ。
Micronは4F2を選択肢から外した。同メモリーメーカーはコンパクトなセル設計を次世代DRAMへの道として却下し、代わりにロードマップの柱を2つのまったく異なる技術、ウェハーボンディングとHigh-NA EUVリソグラフィーに置いた。
この却下こそが計画の中で最も物語る部分だ。4F2は1ビットの保存に消費するシリコン面積を縮める、より密なセルレイアウトを指し、その採用はDRAM密度を伸ばすための業界の定石の1つだ。Micronはそのレバーを引かないことを決めた。代わりに同社は、メモリーをウェハーレベルで積層・接続できるようウェハー同士を接合するウェハーボンディングと、極端紫外線のパターニング解像度の次の一段であるHigh-NA EUVを、将来のDRAM生産に導入する構えだ。
どちらの技術も最終形としては提示されていない。MicronはウェハーボンディングとHigh-NA EUVを、より根本的な転換への架け橋と位置づけている。垂直構造のメモリーでDRAMを3次元へ持っていくという転換で、同社はそれが今後数年で進むと見ている。
このロードマップには、明示的にAI向けの第2の軌道もある。従来のDRAMの進化と並行して、MicronはHBMを垂直指向の構造として再定義する垂直型の高帯域幅メモリーを開発中で、さらにプロセッサーの真上に直接統合することを狙ったメモリー、「垂直エッジ推論メモリー」という別のコンセプトも進めている。推論能力を別コンポーネントとして付けるのではなく、プロセッサーのスタック自体に折り込む——エッジやクライアントのAIシステムの作り方を変えかねないパッケージングの転換だ。
複数年にわたるAIインフラ調達を計画する者にとって、本質的なシグナルは順序だ。MicronはまずウェハーボンディングとHigh-NA EUVで従来型のスケーリングを進め、3Dメモリーとプロセッサー統合型の積層が、同社が「数年」と測る期間の中で続くと見ている。
萬安算交所 AIXX · AIXX · 検証済みコンピュート取引所 · 現貨ホールへ